La série inclut des modèles présentés dans des boîtiers TSON de 3 x 3 mm dont l’empreinte sur la carte est de 64 % inférieure à celle des SOP-8 traditionnels. Toshiba Electronics Europe complète son catalogue de Mosfet de puissance 30 V avec 9 modèles associant compacité, forte intensité de courant et vitesse de commutation élevée.
Présentés dans des boîtiers SOP-8 ou TSON de 3 x 3 mm, dont l’empreinte sur la carte est de 64 % plus réduite que celle affichée par les premiers cités, ces transistors sont dédiés aux applications de conversion DC-DC avec redressement synchrone.
Les TPCx font appel à une structure en tranchée et tirent bénéfice du procédé UMOS VII-H du japonais. Selon la référence, la résistance à l’état passant évolue typiquement entre 6 mOhms et 20 mOhms (pour un VGS de 10 V).
D’un côté, les TPC806x-H et TPC822x-H sont respectivement encapsulés dans des boîtiers SOP-8 et SOP-8 à double puce. De l’autre, les TPCC806x-H bénéficient d’un boîtier TSON susceptible de dissiper 1,9 W grâce à la présence d’une semelle en métal.
