Ce Fet eGaN dont la tenue en tension est de 200 V délivre des performances supérieures en régime de commutation. Avec l’EPC2010, Efficient Power Conversion (EPC) annonce un Fet à enrichissement réalisé en nitrure de gallium (eGaN).
Il est ici question d’un modèle 200 V dont la résistance à l’état passant est de 25 mOhms seulement, pour une tension de grille de 5 V.
En mode pulsé, le nouveau venu supporte 60 A, soit 20 A de plus que l’EPC1010 issu de la première génération de transistors de la société, tout en affichant une charge de grille moindre (typiquement 5 nC au lieu de 7,5 nC).
Selon EPC, vis-à-vis des Mosfet concurrents de RDS(on) équivalent, l’EPC2010 est plus compact et offre de meilleures performances en régime de commutation.
Parmi les applications concernées : les convertisseurs DC-DC rapides, les convertisseurs de point de charge (PoL), les amplificateurs audio en classe D, les topologies à commutation dure et à haute fréquence.
L’EPC2010 est proposé à 5,06 $, prix unitaire par 1000 pièces. Une carte de démonstration (EPC9003) est par ailleurs proposée.
