Cet amplificateur en nitrure de gallium sur carbure de silicium vise les communications satellite en bande Ka.

Premier circuit hyperfréquence en nitrure de gallium pour Microchip Technology avec le GMICP2731-10, un amplificateur qui délivre jusqu’à 10W sur une bande passante comprise entre 27,5GHz et 31GHz (bande Ka). Fabriqué dans un process nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC), il offre une efficacité de puissance ajoutée de 20% avec un gain de 22dB en petits signaux et 15dB de pertes en retour. Adapté à une charge de 50Ohms, il intègre des condensateurs de blocage du courant continu en sortie. 

« Les circuits intégrés HP GaN peuvent présenter une consommation et un poids inférieur de 30% à celui des modèles GaAs, un gain énorme pour les fabricants de satellites » explique Leon Gross, vice-président de Microchip chargé des composants discrets. Outre les satellites, le GMICP2731-10 convient aux réseaux 5G et aux systèmes de communication dans l’aérospatiale et le militaire.