Des circuits de commande de grille pour transistors Mosfet du fabricant allemand embarquent une isolation galvanique jusqu’à 3kV. 

Extension du catalogue de circuits de commande de grille chez Infineon Technologies avec le lancement des EiceDRIVER 1EDB, des circuits à canal simple fournissant une isolation galvanique de 3kV entre l’entrée et la sortie et une immunité aux transitoires de mode commun (CMTI) supérieure à 300V/ns. Selon les modèles, le blocage en sous-tension s’effectue à 0V pour des Mosfet à niveau logique ou normal, ou à 12/14V pour Mosfet en carbure de silicium 650V. Fonctionnant côté haut et côté bas, ils gèrent typiquement jusqu’à 5,4A en source et 9,8A en sink. Ces circuits sont sertis dans un boîtier DSO à 8 broches.