L’Américain UnitedSiC propose un outil de simulation gratuit permettant d’évaluer ses transistors et diodes Schottky en carbure de silicium dans différents montages de puissance. 

Le fabricant américain de composants de puissance en carbure de silicium UnitedSiC a lancé sur son site Web un outil gratuit qui facilite la sélection et la comparaison de performances entre circuits SiC dans différentes applications et topologies de puissance. Baptisé FET-Jet Calculator, cet outil utilise la topologie et les paramètres de l’application (tensions, courants, températures) indiqués par l’utilisateur pour calculer les besoins en découpage et en rendement. L’utilisateur peut étudier les effets d’un changement de mode de conduction, de valeur d’induction ou de fréquence de découpage, et évaluer les performances obtenues avec un seul transistor de puissance ou avec plusieurs composants en parallèle. Tous les transistors FET et diodes Schottky de UnitedSiC sont exploitables dans FET-Jet Calculator, y compris les récents modèles 750V de quatrième génération.