Transistor IGBT à diode Schottky SiC

Le 18/04/2021 à 10:49 par Frédéric Rémond

Ciblant l’automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC), ce module 650V est constitué d’un IGBT Trenchstop 5 50A et d’une diode Schottky en carbure de silicium.

 

• Rendement maximal : 95% à 97%

• Pertes en découpage réduites de 30% par rapport aux montages silicium

 

Réf. CoolSiC Hybrid Discrete 650V

Fab. Infineon Technologies

Rens. http://www.infineon.com

Copy link
Powered by Social Snap