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DOUBLE MOSFET SiC
Ce double Mosfet 3 300 V en carbure de silicium supporte des courants de 800 A. • Température maximale : 175 °C • Boîtier à liaisons en argent fritté • Isolation jusqu’à 6 000 VRMS • Pertes en commutation : 240 à 250 mJ Réf. MG800FXF2YMS3 Fab. Toshiba Electronics Rens. www.toshiba.semiconstorage.com
