L’Allemand renouvelle sa gamme de circuits de commande 650V en demi-pont basés sur sa technologie silicium-sur-isolant.
Infineon Technologies entend améliorer la compacité et la robustesse des montages de puissance à transistors Mosfet et IGBT avec de nouveaux circuits de commande 650V en demi-pont EiceDRIVER basés sur sa technologie SOI (silicium sur isolant). Le 2ED2110S06M délivre jusqu’à 2,5A dans un boîtier DSO-8, tandis que les 2ED2101/03/04 fournissent 0,7A en boîtier DSO-16W. Ces circuits sont catactérisés par un délai de propagation de 90ns et une fréquence de découpage maximale de 500kHz. Ils embarquent une diode bootstrap dont la résistance à l’état passant est de 30Ohms. Ces pilotes EiceDRIVER supportent des pics de tension de -100V sur des impulsions de 300ns. Ils viennent remplacer les IR(S)2110/2113S et IR(S) 2102/03/04 de précédente génération.
