L’allemand associe un transistor IGBT 50A et une diode Schottky en carbure de silicium dans une solution 650V à haut rendement.

Infineon Technologies cible l’automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC)  avec un module CoolSiC Hybrid Discrete 650V constitué d’un IGBT Trenchstop 5 50A et d’une diode Schottky en carbure de silicium. Cette solution permet d’atteindre un rendement de 95% à 97%, avec des pertes de découpage réduite de 30% par rapport à des montages purement silicium selon le fabricant.