Des transistors Mosfet 650V en SiC de l’américain se distinguent par une résistance à l’état passant très réduite.

ON Semiconductor adopte massivement la technologie carbure de silicium pour ses composants de puissance. En témoigne le lancement par l’américain d’une famille de transistors Mosfet SiC 650V convenant entre autres aux applications industrielles ou automobiles (conformité AEC-Q101). Destinés aux véhicules électriques, aux redresseurs photovoltaïques, aux alimentations sans interruption ou encore aux télécoms, les NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 et NTH4L015N065SC1 présentent selon le fabricant la résistance à l’état passant la plus faible du marché (à partir de 12mOhms) pour de tels composants en boîtier D2PAK7L et TO247. A noter qu’une résistance de grille interne permet à l’utilisateur de se passer d’une résistance externe pour freiner le transistor dans certaines applications.