Ces FET du concepteur chinois de semi-conducteurs réduisent la perte de puissance dans les véhicules électriques, les communications 5G ou l’IoT.

Le distributeur britannique Farnell propose la gamme de FET (Field-effect transistor) de puissance en nitrure de gallium (GaN) de Nexperia. Les FET en GaN offrent une densité améliorée et une consommation d’énergie efficace sous un format compact. Pour les véhicules électriques en particulier, cette conversion de puissance plus performante permet la réduction des systèmes de refroidissement, limitant le poids du véhicule et la complexité du système, pour une meilleure autonomie (ou une batterie plus petite). Ces FET de puissance visent également des applications comme les centres de données, ainsi que les infrastructures de télécommunications ou industrielles.