Le sud-coréen présente un module à mémoires Dram empilées de 16 Go délivrant jusqu’à 3,2 Gbit/s.

Samsung vient de lancer commercialement sa troisième génération de mémoires haut débit HBM2E. Cette version 16Go baptisée Flashbolt convient notamment à l’informatique hautes performances – serveurs, intelligence artificielle, graphismes. Succédant à la précédente mémoire HBM2 de 8Go dite Aquabolt du sud-coréen, ce nouveau modèle comprend huit puces empilées de Dram 16Gbits gravées en 1ynm et une puce tampon, interconnectées au moyen de plus de 40.000 voies traversantes. Flashbolt délivre jusqu’à 3,2Gbit/s, un débit de transfert de données qui devrait être porté à 4,2Gbit/s dans des applications futures. Sa production en volume démarrera au premier semestre 2020.