Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à quatre broches. Par rapport à un TO-247N à trois broches, une réduction jusqu’à 35% des pertes de commutation est envisageable. R ohm annonce la disponibilité de six Mosfet en carbure de silicium, avec une structure de grille en…