Premier Mosfet en SiC introduit par la société, le CMF20120D affiche une résistance à l’état passant inférieure à 100 mOhms, sur toute la plage d’utilisation du composant. Fort d’un catalogue étoffé de diodes Schottky 600 V à 1700 V en carbure de silicium, Cree vient d’introduire son premier Mosfet de puissance exploitant ce matériau.
Destiné à remplacer les transistors silicium haute tension, le CMF20120D est un modèle canal N à enrichissement, dont la tenue en tension est de 1200 V. Le courant maximal de drain est ici de 33 A et 17 A, pour une température de boîtier de 25 °C et 100 °C, respectivement.
Ce Mosfet en boîtier TO-247 établit, selon la société, de nouveaux standards en matière de performances et de fiabilité. Sa résistance à l’état passant (à VGS=20 V et ID=20 A), qui est de seulement 80 mOhms à 25 °C, reste inférieure à 100 mOhms sur toute la plage de température d’utilisation du composant (température de jonction jusqu’à +125 °C).
En comparaison avec les Mosfet et IGBT silicium actuellement disponibles, la charge de grille, inférieure à 100 nC, serait nettement moindre. La tension directe inférieure à 2 V à 20 A garantit quant à elle de faibles pertes en régime de commutation.
Parmi les marchés visés par le CMF20120D : les onduleurs solaires, les convertisseurs DC-DC haute tension et les applications de commande de moteurs industriels.
