Ce programme a pour objectif la mise au point d’un nouveau procédé de transfert de couches et l’intégration de celui-ci au sein de l’encapsulation multi-puces au niveau de la tranche de silicium.

Soitec et l’Institut de microélectronique (IME) de l’Agency for Science, Technology and Research (A*Star) de Singapour viennent de conclure un accord pour la mise au point d’un nouveau procédé de transfert de couches et l’intégration de celui-ci au sein de l’encapsulation multi-puces au niveau de la tranche de silicium.
L’IME apporte son expertise en FOWLP (Fan-Out Wafer Level Packaging) et en 2.5D TSI (Through Silicon Interposer), et Soitec, sa technologie Smart Cut.

Le nouveau procédé, issu de ces travaux communs, devrait permettre de réduire la consommation en puissance ainsi que de minimiser les coûts de production.
L’IME testera ces nouvelles solutions sur sa ligne pilote 300mm 2.5D/3D IC.

« Soitec et IME sont persuadés que la technologie Smart Cut apportera des résultats exceptionnels et révolutionnera le process de transfert de couches 2.5D/3D », estime Christophe Maleville, CTO de Soitec.