Future Electronics vient de présenter la carte de référence GaNdalf à très haut rendement.
Future Electronics annonce la carte d’alimentation GaNdalf qui utilise des transistors au nitrure de gallium (X-Gan PGA2E07BA de Panasonic) et un contrôleur de traitement numérique du signal à double coeur (PIC33H de Microchip) pour améliorer la correction du facteur de puissance.
Cette carte a été conçue pour servir de modèle pour la conception de circuits à correction du facteur de puissance. Elle est prévue pour admettre une charge maximale de 1 kilowatt. Elle est caractérisée par une tension de sortie de 400VDC et par une tension d’entrée comprise entre 85 et 265VAC. Future annonce une distorsion inférieure à 10% et un rendement de 99%.
La correction de facteur de puissance (CFP) permet de réduire les pertes de puissance lors de la conversion AC-DC. Pour encore augmenter l’efficacité de la CFP, Future a opté pour une topologie “totem pole” sans pont de diodes et a remplacé les Mosfet à superjonction traditionnels, par des transistors de commutation au nitrure de gallium.
« Les avantages en performances des FET GaN sur les Mosfet au silicium ouvrent aux client des nouvelles perspectives en termes d’ajout de valeur aux designs des systèmes de puissance, en permettant une plus grande efficacité, une commutation plus rapide et une taille réduite », selon Etienne Lanoy, directeur des Centres d’excellence de Future Electronics.
La carte GaNdalf devrait être disponible à partir du premier trimestre de 2019.
