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1 800 W À 1 GHz POUR UN TRANSISTOR EN GaN SUR SiC
S ous la référence QPD1025, Qorvo introduit un transistor RF de puissance apte à délivrer 1,8 kW (soit 62,7 dBm, en régime de saturation) à 1 GHz et sous une tension de 65 V. Pour obtenir une telle puissance, l’américain a fait appel à une technologie HEMT nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN/SiC).…
