Couverture ElectroniqueS n°127

Les véhicules connectés, la 5G, les drones… sont autant de nouvelles technologies pour lesquelles les besoins, tant en solutions de test et de mesure que de composants et de sous-systèmes RF et micro-ondes, sont manifestes. L'édition 2017 de l'European Microwave Week aura permis de découvrir nombre d'innovations en rapport avec ces marchés en devenir. Du 8 au 13 octobre 2017, la manifestation itinérante European Microwave Week a fait escale à Nuremberg, avant Madrid l'an prochain. Quelque 200 exposants ont cette année répondu à l'invitation. S 'il fallait résumer en un mot ou, dans ce cas précis, en une image l'édition 2017 du salon European Microwave Week (EuMW), qui s'est tenue du 8 au 13 octobre dernier à Nuremberg, ce serait l'illustration d'un véhicule avec ses différentes technologies de détection et de communication. Est-ce que le fait d'être en Allemagne y a contribué ? En tout cas, dès le hall d'entrée, une zone accueillait une exposition dédiée à des démonstrateurs technologiques et des véhicules d'essai de noms tels que les allemands Mercedes-Benz, Bosch et Hella, ainsi que le français Valeo. Un simulateur de conduite intelligent offrait aux visiteurs une expérience pratique, et des véhicules d'essai, équipés de radars, étaient disponibles à l'extérieur du parc d'exposition pour des tests dans l'environnement urbain de Nuremberg. Du côté des conférences techniques, l'accent était mis sur les systèmes d'aide à la conduite avancée ( Advanced Driver Assistance Systems ou ADAS) dans le cadre de la conduite hautement automatisée ( Highly Automated Driving ou HAD) dans le futur, avec quatre ateliers et trois sessions au sein de l'European Radar Conference (EuRAD) abordant le sujet. Preuve, s'il fallait encore en douter, du rôle essentiel que jouent les techno-logies RF et hyperfréquences dans l'évolution de l'industrie. Les fabricants de test et de mesure sont d'ailleurs aux avant-postes, à commencer par l'américain National Instruments et l'allemand Rohde & Schwarz. À l'occasion d'une conférence de presse organisée le premier jour de l'exposition, le premier a dévoilé le Vehicle Radar Test System (VRTS ; voir Electroniques n°87 ) –une version bêta avait d'ailleurs été présentée l'année précédente. « Il s'agit d'une plateforme unique pour la simulation des cibles radar et les mesures RF. Ce n'est pas un rejeu, mais une simulation en temps réel des cibles radar, une très bonne synchronisation étant assurée avec le châssis PXI pour les applications HIL (Hardware-In-the-Loop) et de test ADAS », affirme Matt Spexarth, responsable principal pour les produits RF dans les applications automobiles chez National Instruments. Le VRTS se compose d'une tête radio millimétrique mmRH3608, fonctionnant entre 76 et 81 GHz, d'un Vector Signal Transceiver (VST) de 2 e génération au format PXI Express (PXIe-5840), proposant une bande passante de 1GHz, d'un ou plusieurs générateur(s) de délais variables NI-5692 et d'un logiciel applicatif. Comme le VRTS est disponible auprès de certains de ses partenaires, National Instruments a en fait mis en avant deux solutions clés-en-main, à savoir l'Automotive Radar Test System (ARTS) de l'allemand Konrad Technologies et le Radar Test System (RTS) de son compatriote Noffz Technologies. La première solution est un système de test radar configurable –l'utilisateur définit le nombre de cibles, les scénarii d'objets et l'angle d'arrivée (AoA)–, pour la validation des algorithmes et la vérification fonctionnelle en production des capteurs. Quant au RTS, il s'agit d'une solution de test automatisée intégrée en fin de ligne de production à fort volume (ou hors ligne). Elle est basée sur l'Universal Tester Platform (UTP) 6010 de la société, à laquelle a été ajouté le nouvel adaptateur RF UTP 5060. Des solutions de test pour les ADAS Sur son stand dédié aux solutions de test pour l'automobile –c'était la première fois que le fabricant disposait d'un autre stand que celui, traditionnel, situé à l'entrée de l'exposition –, Rohde & Schwarz présentait ses nouveaux systèmes de test AREG100A et QAR pour les radars, qui seront disponibles début 2018. « La technique d'imagerie au cœur du système QAR est issue des scanneurs corporels mis en œuvre dans les aéroports, par exemple. Elle permet de mesurer très rapidement la réflectivité des radars, tels que les radômes logos et les pare-chocs fonctionnant entre 77 et 79 GHz », explique-t-on chez Rohde & Schwarz. En connaissant l'atténuation du matériau, les constructeurs automobiles peuvent localiser et identifier avec précision les éventuelles erreurs matérielles ou les matériaux hétérogènes susceptibles d'affecter les performances du capteur. Destiné au test des capteurs radar en production, le générateur d'écho radar automobile AREG100A prend en charge toutes les bandes radar automobiles (24, 76 et 79 GHz) et jusqu'à trois distances radar fixes définissables par l'utilisateur, plus un décalage Doppler optionnel pour la simulation de la vitesse radiale. Associé au système de test d'antennes ATS1000 – une chambre blindée transportable couvrant la gamme de fréquence de 18 à 87GHz– et au logiciel d'exécution de test QuickStep du constructeur, l'AREG100A devient un processus standardisé pour le contrôle continu de la qualité des capteurs radar en fin de ligne. La technique d'imagerie au cœur du système QAR de Rohde & Schwarz est issue des scanneurs corporels mis en œuvre dans les aéroports, par exemple. Elle permet de mesurer très rapidement la réflectivité des radars, tels que les radômes logos et les pare-chocs fonctionnant entre 77 et 79GHz. Sur son stand «historique», le fabricant allemand mettait en avant l'analyseur de spectre et de signal FPL1000 et la série d'analyseurs de réseau vectoriels ZNL, après avoir lancé la série ZNLE (nous y reviendrons), dévoilés une dizaine de jours avant l'ouverture de l'événement, ainsi que la solution de calibrage intégrée ZN-Z3x pour les analyseurs de réseau vectoriels. Les modules ZN-Z32 et ZN-Z33 couvrent en effet les fréquences de 10MHz à respectivement 8,5 et 40 GHz, et ils s'installent au plus près du composant sous test (DUT), et d'une manière permanente contrairement aux unités de calibrage traditionnelles. Cela représente une solution idéale pour les applications où un recalibrage est fréquemment requis ou dans le cas où le DUT est inaccessible (dans des conditions de vide, par exemple). L'offre pour la 5G prend de l'ampleur Au-delà des radars automobiles et du véhicule autonome, l'édition 2017 de la manifestation EuMW faisait, encore une fois, une place importante à la technologie 5G, au travers de différentes sessions d'European Microwave Conference (EuMC), telles que celle sur les antennes « intelligentes », les systèmes d'antennes avec techniques numériques de formation de faisceaux et les antennes MIMO, ou celle sur l'émulation de canaux et le test Over-the-Air (OTA). Du côté des innovations dans le domaine du test et de la mesure, l'américain Keysight Technologies a notamment dévoilé l'adaptateur vectoriel agile N5194A. Avec l'adaptateur vectoriel agile N5194A, Keysight Technologies étend les fonctionnalités de ses générateurs de signal UXG, en fournissant des formes d'onde et des signaux complexes basés sur des paires IQ pour les applications de guerre électronique, ou de stress des amplificateurs de puissance. L'adaptateur étend les fonctionnalités des générateurs de signal agiles de la série X UXG, en fournissant des formes d'onde et des signaux complexes basés sur des paires IQ (signaux à impulsions avec temps de montée et descente, chirps non linéaires et schémas de modulation variables) pour plusieurs applications. « Dans le cadre de la guerre électronique, les ingénieurs sont en mesure de créer des scénarii pour simuler des menaces encore plus réalistes. Ou alors, il est possible de créer des signaux très larges pour stresser des amplificateurs de puissance et d'autres composants, afin de voir comment ils se comportent avec des signaux non linéaires », explique Giovanni D'Amore, EMEAI Marketing Brand Manager chez Keysight Technologies. < De par sa compacité, l'analyseur de spectre MS2760A d'Anritsu est associé à la tête millimétrique externe d'un analyseur de réseau vectoriel, ce qui permet de faire des mesures entre 10 et 110GHz, au plus près des sondes de wafers. L'adaptateur vectoriel agile N5194A fonctionne dans la gamme de fréquence allant de 50 MHz à 20 GHz, intègre un générateur en bande de base à 2Géch./s pour la fourniture de signaux large bande jusqu'à 1,6 GHz, et un atténuateur à semi-conducteur de plage d'amplitude agile de 120 dB pour reproduire les modèles de balayage d'antennes et les scénarii d'AoA. L'adaptateur se distingue également par une pureté spectrale typique de - 70dBc en bande X, un bruit de phase de - 132dBc/Hz à 10 kHz d'une porteuse de 1GHz (ou 109 dBc/Hz avec une porteuse de 10 GHz) en mode Oscillateur local externe et une vitesse de commutation de 220 ns (large bande et mode Oscillateur local externe). Les visiteurs pouvaient également (re)découvrir d'autres produits sur le stand de Keysight Technologies, à commencer par les analyseurs de réseau large bande deux ou quatre ports N5290A et N5291A, dont la gamme de fréquence s'étend de 10 MHz à 110GHz (jusqu'à 500 Hz avec l'extension basse fréquence matérielle), le générateur de signaux micro-ondes au format PXI Express M9383A ( voir Electroniques n°86 ) ou les deux nouvelles fonctionnalités des analyseurs portables FieldFox. « Ils peuvent désormais être connectés au logiciel d'analyse des signaux vectoriels 89600, ce qui rend possibles la conception et le dépannage des équipements APCO-25 et TETRA (radio de sécurité publique), IEEE 802.11p (communications sans fil au niveau des véhicules), les réseaux longue portée basse consommation pour les objets connectés, les com-munications cellulaires GSM, LTE, W-CDMA, etc. », annonce Giovanni D'Amore. L'autre nouveauté est l'option 351 qui fournit un mode d'analyse I/Q (largeur d'analyse de 10MHz) pour la capture et l'analyse de paires I/Q directement dans les appareils ou via le logiciel 89600. Les analyseurs vont partout ! Toujours dans le domaine des solutions de test et de mesure pour la technologie 5G, le japonais Anritsu présentait l'analyseur de signal MS2850A, qui est désormais doté, pour la première fois sur le marché, d'une interface PCI Express 4.0. « Si l'interface Gigabit Ethernet permettait de transférer chaque capture en 45 s, l'interface PCIe 4.0 rend l'outil encore plus rapide ; il suffit de 0,4 s pour réaliser le transfert des mêmes données », indique Jonathan Borrill, directeur de l'ingénierie et de la technologie d'Anritsu. Lancé quelques mois auparavant pour répondre aux exigences de R&D et de production des futurs systèmes 5G New Radio (NR), le modèle haut de gamme et économique complète les analyseurs de spectre et de signal MS296xA, MS2830A et MS2840A. Sur son stand, NXP a présenté différentes conceptions de référence, notamment un émetteur de forte puissance pour la bande FM, exploitant des LDMOS 65V. Le MS2850A bénéficie notamment d'une largeur de bande d'analyse de 255MHz en stan-dard, et jusqu'à 1GHz en option, et permet l'évaluation simultanée de signaux 5G à porteuses multiples. Parmi les autres spécifications, citons une gamme de fréquence de 9 kHz à 32 ou 44,5 GHz, un bruit de phase de - 123kHz/Hz à 10 kHz d'une porteuse de 1GHz, un DANL de - 143,5dBm/ Hz à 13GHz (sans pré-amplifi-cation) ou - 160,5 dBm/Hz (avec pré-amplification), la présence de fonctions de mesure du facteur de bruit et du bruit de phase, etc. Parmi les autres innovations présentes sur le stand du japonais figurait la démonstration d'une solution compacte de mesures de puissance dans les bandes millimétriques, basée sur une application réelle du Fraunhofer Institute et où le logiciel expert de puissance s'exécute sur le même PC que celui où se trouve la surveillance de spectre. « Nous mettons également en avant l'analyseur de spectre compact MS2760A via deux démonstrations. Dans la première, il est associé à la tête millimétrique externe d'un analyseur de réseau vectoriel, ce qui permet de faire des mesures entre 10 et 110 GHz, au plus près des sondes de wafers. Dans la seconde application, un MS2760A monté sur un drone permet de caractériser exactement une antenne (mesures de propagation, de couverture et formation de faisceau en 3D) ou de faire de la recherche d'interférences », explique Jonathan Borrill. Parmi les « nouvelles » nouveautés vues à Nuremberg, citons par exemple l'analyseur de réseau vectoriel 1 port USB R180 (1 MHz à 18 GHz) et les analyseurs de réseau vectoriels Cobalt C1209/C1409, C2209/ C2409, C4209/C4409, C1220/ C1420, C2220/C2420 et C4220/ C4420 de l'américain Copper Mountain Technologies, qui avait aussi un drone sur son stand – ces modèles deux ou quatre ports USB concurrencent les modèles de table pour la mesure des paramètres S, avec leur dynamique de 158dB ou de 143dB (au-delà de 1MHz), sur une gamme de fréquence allant de 100 kHz à 9 GHz ou 20 GHz, et un temps de mesure inférieur à 10µs ou 12 µs par point. Ou encore le testeur d'altimètres radar ATS 384 de Noise eXtented Technologies (XT) du groupe français Spherea Test & Services, le châssis PXI quatre emplacements portable 60-105, le multiplexeur micro-onde LXI 60-800 et les mulitplexeurs micro-ondes PXI 40-784A et 40-785B du britannique Pickering Interfaces. Le LDMOS sous haute tension Du côté des composants pour la RF et les hyperfréquences, les annonces ont également été nombreuses, notamment dans le domaine de la puissance. Ainsi, Wolfspeed a mis en exergue sa famille CG2H de transistors RF de puissance Hemt 28V de dernière génération. Les nouveaux venus tirent le plus grand profit d'un procédé nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN/SiC), avec une longueur de grille de 0,25 µm. Ces transistors large bande (non adaptés), d'usage général (systèmes de communications militaires, radars, infrastructures cellulaires, intrumentation de test…), fonc-tionnent au mieux jusqu'à 8GHz, au lieu de 6GHz pour la génération précédente en 0,4 µm. Ils offrent également un gain amélioré de 1,5 dB à 2dB et un rendement supérieur de 5 à 10 points. La famille est déclinée en deux séries. La première, alias CG2H400, est composée de transistors discrets en boîtier. Elle est forte de trois éléments, les CG2H40010 (10W, 6GHz, rendement de 70% en saturation), CG2H40025 (25W, 6GHz, 65%) et CG2H40045 (45 W, 4 GHz, 60 %). Les gains en petits signaux sont compris entre 16 dB et 14 dB à 4 GHz. La seconde série (CG2H800) englobe des puces nues, les CG2H80015 (15 W, 8GHz, 65 %), CG2H80030 (30 W, 8GHz, 65 %) et CG2H80060 (60 W, 8GHz, 65 %). Leur gain est de 12dB à 8GHz. NXP Semiconductors a dévoilé cette année une nouvelle série de LDMOS, dont la tension de fonctionnement atteint 65 V (usuellement 50V dans l'industrie). Une famille MRFX inaugurée par le MRFX1K80H (X pour 65V, 1K80 en référence à la puissance, H pour céramique), un transistor large bande (1,8 à 470 MHz) en boîtier céramique, délivrant 1 800 W en onde entretenue (CW, continuous wave), sous 65V et à 1dB de compression. Un transistor particulièrement robuste, puisque capable d'encaisser de fortes désadaptations (> 65: 1), ce qui est typi-quement le cas lorsque la charge est déconnectée. Il est certes possible d'atteindre des niveaux de puissance très élevés à partir d'une tension de service de 50V. Cependant, l'impédance devenue très faible rend délicate l'adapta-tion et la reproductibilité en production. La société a depuis procédé à l'échantillonnage d'un modèle en boîtier plastique. « Notre boîtier plastique n'est pas seulement moins onéreux que la version céramique, il offre aussi une résistance thermique inférieure de quelque 30 %. Il faut le souder sur de bonnes masses thermiques et non pas le visser, ce qui peut présenter des inconvénients dans le cadre d'essais en laboratoire ou pour une production de petites séries », analyse Laurent Gauthier, ingénieur d'applications EMEA pour les produits RF de puissance chez NXP. Ce dernier reconnaît qu'en Europe, de nombreux clients, notamment dans le domaine industriel, sont justement concernés par une production limitée et privilégieront l'option céramique. « Par ailleurs, il y a aussi un frein psychologique chez beaucoup d'utilisateurs, pour qui plastique est encore synonyme de mauvaise qualité », poursuit Laurent Gauthier. À Nuremberg, NXP a exposé différentes conceptions de référence, en particulier un émetteur radio FM (87,5 à 108 MHz) de 1,6 kW CW et un émetteur à 27MHz de 1,8kW CW, réalisés avec un MRFX1K80H. Macom a pour sa part montré un transistor de puissance en GaN/Si, optimisé pour les radars de surveillance en bande L des aéroports. Entre 1,2 et 1,4 GHz, le MAGX101214-500 délivre une puissance de 500W crête. Sous une tension drain-source de 50 V et en régime pulsé (300 µs, rapport cyclique de 10 %), le gain est supérieur à 15,5 dB. Dans des conditions opératoires similaires, son rendement proche de 70 % serait légèrement supérieur à celui des transistors en GaN/SiC et, a fortiori, à celui des LDMOS en silicium. Le MAGX-101214-500 est proposé dans un boîtier CMS céramique, avec ou sans bride. Dévolu aux stations de base 5G à 28 GHz, ce circuit en GaN sur silicium d'Ommic réunit un amplificateur de puissance, un LNA et un commutateur d'émission-réception. < Macom a effectué quelques démonstrations de son kit de développement « RF Energy Toolkit ». Ici une torche à plasma alimentée par une source RF, réalisée à partir d'amplificateurs en GaN sur silicium. Dans le domaine de l'énergie RF « à l'état solide», Macom a effectué des démonstrations évocatrices. Il s'agissait de mettre en évidence la souplesse de ses kits de développement matériel/logiciel dédiés. Ces « RF Energy Toolkits» ont pour vocation d'accélérer la mise sur le marché des conceptions exploitant des sources d'énergie réalisées à partir de semi-conducteurs RF de puissance, en l'occurrence les transistors en GaN/Si de l'américain. Le champ d'application ciblé par ces plateformes est large. « Cela va des fours à micro-ondes pour remplacer les magnétrons et des systèmes d'éclairage et de chauffage/ séchage industriel, jusqu'aux applications médicales et aux systèmes d'allumage dans l'automobile », commente Markus Schaefer, directeur des ventes EMEA chez Macom. Tous les paramètres clés (fréquence, niveau de puissance, phase, modulation PWM….) sont ici ajustables. Présentement, si ces kits autorisent un fonctionnement, en mode pulsé ou continu, dans la bande des 2,45 GHz, le support de la fréquence 915MHz est prévu. La démonstration sur le stand d'une torche à plasma à énergie RF réunissait différents blocs : un amplificateur RF de 300W à base de transistors en GaN/Si, une alimentation, un coupleur pour la mesure des puissances incidente et réfléchie et un contrôleur analogique/numérique de signal chargé de piloter tous les éléments de la chaîne. Le GaN incontournable pour la 5G? Pour Ommic, le verdict est clair : à terme, les produits en nitrure de gallium vont remplacer ceux en arséniure de gallium. Et pas uniquement en raison d'une densité de puissance nettement supérieure. « Nous sommes aussi capables de concevoir des LNA en GaN dont le facteur de bruit est équivalent à ce que l'on obtient avec de l'arséniure de gallium, mais beaucoup plus robustes », confirme Cédric Corrège, ingénieur des ventes chez Ommic. Le procédé GaN/Si 100 nm D01GH entend adresser le marché des stations de base, autour de la fréquence de 28 GHz. Le choix du GaN sur substrat silicium se révèle ici économiquement plus attractif que le GaN sur carbure de sili-cium. La récente mise en service d'une ligne de production de semi-conducteurs en GaN et GaAs sur des tranches de six pouces (trois pouces auparavant) permettra de répondre à la demande. « Si les transistors sont différents, pour ce qui est des passifs les masques lithographiques sont les mêmes, ce qui nous donne la possibilité de réutiliser des blocs éprouvés », assure Cédric Corrège. À Nuremberg, Ommic a mis en avant une puce GaN/Si 100nm en boîtier de 5 x 5 mm, regroupant un commutateur SPDT, un amplificateur de puissance de 4 W (+36 dBm) et un amplificateur faible bruit (LNA). La bande couverte est suffisamment large, soit 26 à 34 GHz, pour permettre l'intégration du circuit dans un démonstrateur travaillant dans la portion de la bande Ka qui sera retenue pour la 5G. La seule société ayant présenté lors d'une conférence une puce GaN à 28 GHz offrant les mêmes fonctions est Qorvo. Mais les performances en termes de facteur de bruit du LNA (4 dB au lieu de 2,8 dB pour Ommic) ne sont pas aussi bonnes. Il est à noter que l'américain a depuis annoncé un module frontal (QPF4005) combinant deux MMIC multifonctions (PA de 2 W par voie en saturation, LNA dont le facteur de bruit est de 4,5 dB, SPDT) en GaN/SiC 150 nm, mais qui est destiné à la bande millimétrique des 39GHz. Les fondeurs sur la brèche Ommic compte également qualifier ses procédés D006GH 60nm, à la fois en GaN/Si et en GaN/SiC. Dans le premier cas, les applications 5G autour de 40GHz seront ciblées. Dans le second, seront concernées les applications haut de gamme jusqu'à 100 GHz, générant de faibles volumes, pour lesquelles la performance (forte puissance, rendement PAE élevé, haute fréquence) prime sur le coût. Enfin, le procédé GaN ED01GH permettra d'associer des transistors à enrichissement et à appauvrissement (ou à déplétion). De ce fait, le développement de circuits à signaux mixtes en GaN deviendra envisageable, alors que seul un procédé GaAs l'autorise présentement. Le fondeur UMS (United Monolithic Semiconductors), une société historiquement focalisée sur les applications de défense et spatiales, mais qui réalise aujourd'hui la moitié de son CA dans le secteur automobile (radars anti-collisions), n'entend pas non plus laisser passer le train de la 5G. « Il ya cependant encore beaucoup d'incertitudes autour de la 5G et personne ne sait aujourd'hui quelles seront ses implications sur les technologies III-V », reconnaît Jean-René Bois, directeur du marketing et des ventes chez UMS. L'offre à 28 GHz du franco-allemand sera bâtie autour de sa technologie GaN/SiC 0,15 µm, alias GH15. Si cette dernière est encore en phase de qualification, elle permet d'ores et déjà de réaliser des démonstrateurs. À une date ultérieure, un procédé 0,10 µm couvrira les besoins jusqu'à 50-60GHz. « Nous avons une approche pragmatique et, pour réaliser le meilleur partitionnement possible, nous gardons un œil sur toutes les technologies, y compris le GaN sur silicium, même si en interne nous n'avons aujourd'hui que du GaAs et du GaN sur SiC sur tranches de quatre pouces », indique Jean-René Bois. De fait, comme c'est déjà le cas pour le SiGe, la société ne s'interdit pas de faire appel, si besoin était, à des partenaires. De son côté, Filtronic Broadband a collaboré avec Plextek RFI pour développer un module multipuce 5G apte à couvrir la bande millimétrique européenne des 26 GHz (24,25 à 27,5GHz). Ce frontal en boîtier CMS de 10x10mm comprend: un amplificateur de puissance (PA), un amplificateur faible bruit (LNA) en GaAs et un commutateur Rx/Tx. La section de filtrage RF se décompose en un filtre passe-bande après le LNA et en un filtre d'atténuation des harmoniques du PA. Pour ces cellules de filtrage, les pertes d'insertion sont respectivement de 0,7 dB et 0,2 dB. En réception, le gain est de 20dB dans la bande considérée et le facteur de bruit de 3,5dB. Pour ce qui est de la voie émission, le gain est de 19dB et le point d'interception du troisième ordre (IP3) situé à +36dBm. Teledyne e2v a quant à lui présenté sa gamme de convertisseurs de données très haute vitesse et, parmi ceux-ci, le CNA EV12DS460A. Ce dernier, de résolution 12 bits, offre une bande passante analogique de 7,5 GHz. Il intègre un multiplexeur dont le rapport est de 4: 1 (jusqu'à 6 Géch./s) ou de 2: 1 (jusqu'à 3,2 Géch./s). Ce CNA est susceptible de synthétiser un signal dont la fréquence atteint la valeur inédite de 26,5 GHz (bande K). Un tel convertisseur évitera dans certains cas l'usage d'un étage élévateur de fréquence. Le choix du mode, à savoir NRZ (Non return to zero), NRTZ (Narrow return to zero), RTZ (Return to zero) et RF (Radio frequency), permet d'optimiser les performances en fonction de la zone d'intérêt. Le composant est proposé dans un boîtier fpBGA196 de 15 mm de côté. Sa consommation est typiquement de 2,6W et 2,4W, avec des ratios respectifs de 4: 1 et 2: 1. Parmi les applications concernées : les générateurs d'ondes arbitraires, la synthèse numérique directe de signaux large bande, les équipements de test automatique, la génération de formes d'ondes pour les radars. Les composants passifs ont aussi été à l'honneur àNurem-berg. Ainsi en a-t-il été chez Exxelia, le groupe fondé en 2009, né de la fusion des sociétés Eurofard, Firadec, Sic Safco, Microspire et Astema. Ce fabricant de composants passifs complexes, également spécialiste des solutions électromécaniques pour les marchés industriels de niche, a notamment présenté une gamme complète de condensateurs céramique multicouches à diélectrique NP0 (C0G), pour les applications RF et hyper. Ces composants au format 1111 (2,8 x 2,8 mm) de la série NHB conjuguent une fréquence de résonance très élevée, une faible résistance équivalente série (ESR) et une fiabilité qualifiée d'exceptionnelle, jusqu'à une température de + 175 °C. Ces condensateurs de 500 V, dont la capacité est comprise entre 0,3 pF et 100 pF, sont conçus pour réaliser des fonctions de découplage, d'adaptation d'impédance, d'accord de fréquence, de couplage et de blocage du continu.

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