Ce transistor de la gamme U-MOS IX-H fait appel à un refroidissement par les deux faces.
• Résistance à l’état passant: 10mOhms à 10 V
• Courant de drain: 260 A
• Puissance maximale: 170 W
• Résistance thermique: 0,88 K/W
• Charge électrique de sortie: 77,5 nC
• Boîtier DSOP Advance
Réf. TPW1R306PL Fab. Toshiba Rens.www.toshiba.semicon-storage. com
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