Les MOSFET de puissance automobile Vishay Siliconix SQ certifiés AEC-Q101 sont dotés d’une faible RDS
Les technologies TrenchFET® à canal N et P ont des températures de jonctions comprise entre -55 et 175 ˚C. Testés à 100 % Rg et UIS, ces appareils sont disponibles dans une large gamme de boîtiers permettant une grande flexibilité de conception et offrant plusieurs options de gain de place et de connexion courte.
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