Les trois partenaires de base auraient l’intention d’élargir la coopération à une dizaine d’entreprises opérant dans le domaine du semi-conducteur, avance l’agence Nikkei.
Selon l’agence Reuters, citant sa consoeur japonaise Nikkei, Intel, Toshiba et Samsung pourraient s’allier pour développer des circuits en technologie 22 nm et même en technologie 10 nm d’ici 2016. Les trois partenaires de base auraient de plus l’intention d’élargir la coopération à une dizaine d’entreprises opérant dans le domaine du semi-conducteur, avance l’agence Nikkei.
Cette information est néanmoins à prendre avec précaution car elle n’a pas été confirmée par les entreprises mentionnées et a même été qualifiée de “spéculative” par un porte-parole d’Intel.
Le ministère japonais de l’Economie, du Commerce et de l’Industrie financerait les travaux de R&D du consortium à hauteur de 5 milliards de yens (61,21 millions de dollars), soit la moitié de l’investissement initial nécessaire, précise l’agence de presse japonaise.
Toshiba et Samsung prévoiraient d’utiliser la technologie 10 nm dans leurs mémoires flash Nand tandis qu’Intel la mettrait à profit pour ses nouvelles générations de microprocesseurs.
