Les premiers membres de la famille Airfast 3 sont quatre LDMOS pour stations de base cellulaires. Par rapport à leurs prédécesseurs, ils affichent un rendement accru, une bande passante élargie, des performances thermiques améliorées et une empreinte réduite.

A l’occasion de la manifestation European Microwave Week, qui se tient actuellement à Londres, NXP Semiconductors a levé le voile sur sa troisième génération de transistors de puissance RF Airfast. Pour l’heure, quatre LDMOS pour stations de base macro-cellulaires sont en phase d’échantillonnage, pour une mise en production d’ici la fin de l’année. Vis-à-vis de leurs prédécesseurs, les LDMOS Airfast 3 affichent un rendement amélioré et une bande passante (jusqu’à 90 MHz) accrue. Le rendement est au mieux de 53%, soit un gain de quatre points par rapport à ce qu’il était possible d’obtenir avec les Airfast 2. Encapsulés dans des boîtiers en plastique à cavité air, une première pour des produits de la gamme Airfast, à faible résistance thermique et avec semelle en cuivre, ces nouveaux LDMOS pour les architectures Doherty asymétriques affichent par ailleurs une empreinte réduite de quelque 30%, pour un niveau de puissance donné.

Concrètement ces quatre transistors sont les A3T18H450W23S (1805 à 1880MHz, puissance moyenne de 89W, gain de 17,2dB, rendement de 51%), A3T18H360W23S (1805 à 1880MHz, 56W, gain de 17,5dB, rendement de 53%), A3T21H450W23S (2110 à 2200MHz, 89W, gain de 15,5dB, rendement de 49,5%) et A3T26H200W24S (2496 à 2690MHz, 37W, gain de 16,3dB, rendement de 50%).