Cette technologie complémentaire du FinFET devrait être disponible en 2019 dans l’usine de Dresde du fondeur.

Globalfoundries vient de présenter la technologie 12FDX, un process FD-SOI en 12nm qui marque la fidélité du fondeur envers ce procédé de fabrication de semi-conducteurs concurrent – ou plutôt complémentaire – des technologies FinFET utilisées pour les mémoires et les circuits numériques rapides. Grâce à sa consommation moindre, le FD-SOI 12nm vise notamment les circuits pour systèmes nomades combinant à la fois des éléments numériques, analogiques et/ou radiofréquences. “Et le coût de conception est moins élevé qu’avec du FinFET” ajoute Sanjay Jha, CEO de Globalfoundries. La Fab 1 de Dresde est en train d’être équipée, avec le premier semestre 2019 pour objectif de lancement de production.