Ces réseaux de transistors DMOS comportant 8 voies de 50V/0,5A sont conçus pour remplacer les matrices à transistors bipolaires déjà proposées par la société.

Toshiba Electronics Europe annonce une série de réseaux de transistors DMOS réalisés à partir de son process BiCD. Offrant huit voies de 50V/-0,5A, chacune dotée d’une diode de clampage en sortie (pour la commutation des charges inductives), les TBD62783A entendent remplacer les matrices de transistors bipolaires TD62783 antérieures. Avec, à la clé, une forte réduction des pertes (jusqu’à 40%) dans des applications telles que la commande de LED. Au nombre de quatre, les TBD62783A sont proposés dans des boîtiers P-DIP, SOP, SSOP ou P-SOP, tous de 18 broches.

Par ailleurs, la société a également introduit la série TBD62083A de 8 éléments avec Fet DMOS de 50V/0,5A, cette fois-ci pour succéder aux réseaux de transistors bipolaires TD62083 dans les applications de commande de moteur, de relais ou de LED. Les options de boîtiers sont les mêmes.