La solution de grande compacité de l’américain remplace avantageusement quatre boîtiers SOT23 ou deux boîtiers SO-8.
Diodes introduit un circuit intégrant deux doubles Mosfet, canal N et canal P de 100V, configurés selon une topologie de pont en H. Les Mosfet canal N affichent une résistance à l’état passant de 160 et 200 mOhms, pour une tension grille-source de 10V et 4,5V, respectivement. Dans les mêmes conditions, la résistance des Mosfet canal P est de 250 et 300 mOhms.
Le moindre intérêt de ce DMHC10H170SFJ n’est pas d’être proposé dans un boîtier V-DFN5045-12, dont les dimensions sont de seulement 5×4,5mm. Une empreinte réduite qui permet de gagner une place précieuse sur la carte, dans la mesure où le nouveau venu est à même de remplacer quatre boîtiers SOT23 ou deux boîtiers SO-8. La tension de claquage de 100V garantit une marge suffisante dans les applications industrielles et télécoms exploitant un rail d’alimentation 48V. Une tension de grille de 5V simplifie quant à elle l’interfaçage avec un microcontrôleur.
Parmi les applications citées par la société : les réseaux de transducteurs à ultrasons utilisés dans les systèmes d’inspection industrielle ou dans les équipements maritimes à base de sonar, la commande de ventilateurs pour les équipements télécoms, la commande de charges inductives telles que les bobines mises en œuvre dans les tapis de recharge sans fil.
