Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W.

Ampleon, la société nouvellement créée qui réunit les activités RF de NXP Semiconductors cédées au chinois JAC Capital, lance une série de transistors de puissance RF large bande en GaN réalisés selon une technologie HEMT 0,5µm.

Au nombre de dix, ces transistors de la famille CLF1G couvrent la plage 10W à 200W. Ils trouveront leur juste emploi comme drivers jusqu’à la bande C ou dans les amplificateurs finaux en configuration push-pull jusqu’à la bande S. En particulier, le modèle CLF1G0035S-50 supporte une tension de 50V et délivre 50W dans une bande allant du continu à 3,5GHz.

La production en volume de tous ces transistors de puissance RF en boîtiers céramique est prévue pour le début de l’année 2016.