Toshiba vient d’annoncer deux avancées, chacune dans un domaine différent des flash «empilées ». Tout d’abord, Toshiba a dévoilé sa dernière génération de mémoire flash BiCS, une structure V-Nand c’est-à-dire monolithique dans laquelle des couches de cellules mémoires sont empilées les unes sur les autres. Cette puce comporte pas moins de 48 couches. Ce serait, selon certains analystes, le seuil à partir duquel les V-Nand deviennent compétitives avec les mémoires flash planaires classiques, celui où l’intégration supérieure parvient à compenser le coût de production plus élevé et surtout le rendement moindre. En cours d’échantillonnage, la dernière mémoire flash BiCS de Toshiba comprend pas moins de 32Go de données grâce à des cellules TLC (Triple Level Cell) qui, comme leur nom l’indique, stockent trois bits de données par cellule.

Par ailleurs, Toshiba développe une mémoire flash Nand à 16 puces empilées et reliées non pas par des fils de liaison classiques (wire bonding), mais par des liaisons traversantes TSV (Trough-Silicon Vias). Le japonais en a même présenté un prototype lors du récent Flash Memory Summit. La technologie TSV de Toshiba permet d’atteindre des débits d’entrée-sortie supérieurs à 1Gbit/s tout en consommant moitié moins d’énergie par rapport aux modèles actuels du japonais, avec une tension de fonctionnement de 1,8V pour les puces mémoires elles-mêmes et 1,2V pour le circuit d’entrée-sortie à la base de l’empilement.

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