Pour les nœuds inférieurs à 20nm, cette technologie est une alternative à la lithographie par immersion avec multiple patterning qui domine le marché, à la lithographie aux UV extrêmes ainsi qu’à l’écriture directe par faisceaux d’électrons.
Le fabricant japonais Canon annonce le développement d’équipements de lithographie pour les nœuds inférieurs à 20nm, utilisant une technologie de nano-impression.
Cette technologie est une alternative à la lithographie par immersion avec multiple patterning (découpage du motif à reproduire en plusieurs sous-motifs de façon à gagner en finesse) qui domine le marché, à la lithographie aux UV extrêmes dont les premières machines sont testées chez des fabricants de semi-conducteurs et dont l’industrialisation en volume est prévue pour cette année, ainsi qu’à l’écriture directe par faisceaux d’électrons, qui est réservée aux petites séries.
Canon a démarré les recherches dans ce domaine en 2004 en liaison avec la start-up américaine Molecular Imprints – que le japonais a rachetée en 2014 – et avec le fabricant de semi-conducteurs Toshiba.
La technologie par nano-impression consiste à appliquer le motif à reproduire directement sur la couche de polymère du substrat, par moulage. Les moules originaux sont fabriqués par Dai Nippon Printing qui les grave via faisceaux d’électrons.
Les premières machines de lithographie par nano-impression devraient être utilisées pour la fabrication de mémoires flash ; ultérieurement, Canon a prévu des équipements à destination de la production de mémoires Dram et de la production de circuits logiques.
