Infineon optimise ses OptiMOS

Le 17/02/2015 à 9:13 par Philippe Dumoulin

Par rapport à la génération précédente, la société évalue à 45% à 24% la réduction maximale de la résistance à l’état passant obtenue, respectivement pour les versions de 80V et 100V.

Infineon introduit des Mosfet de puissance de 80V et 100V issus de la famille OptiMOS 5. Des produits destinés aux convertisseurs à haute fréquence de commutation. Si cela concerne typiquement le redressement synchrone dans les alimentations à découpage pour les télécoms et les serveurs, les applications industrielles sont également visées.

Par rapport à la génération précédente, l’allemand évalue à 45% (80V) et à 24% (100V) la réduction maximale de la résistance à l’état passant obtenue.

Les OptiMOS 5 de 80V et 100V sont proposés en différents boîtiers : SuperSO8, S3O8, TO-220, TO-Leadless, TO-220 FullPACK, D²PAK et D²PAK 7Pin. Les valeurs de RDS(on) vont de 1 à 4, 4 à 8 et 8 à 12 mOhms pour les modèles de 80V, de 1 à 4, 4 à 8 et 8 à 12 mOhms pour les modèles de 100V.

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