Ces transistors s’appuient sur la quatrième génération de Mosfet à superjonction DTMOS IV de la société.
• Courant de drain: 30,8 à 61,8A
• Résistance à l’état passant: 40 à 88mO à 10V
• Charge de grille: 65 à 135nC
• Boîtiers: TO-247, DFN 8x8mm, TO-220, TO-220SIS
Réf. TK31N60X, TK39N60X, TK62N60X Fab. Toshiba Rens. www.toshiba-components.com
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