Développé par Northrop Grumman, ce circuit intégré monolithique fait appel à des transistors Hemt 25nm réalisés en phosphure d’indium.

Dans le cadre d’un contrat avec la Darpa (Defense Advanced Research Projects Agency), l’agence américaine pour les projets de recherche avancée de défense, Northrop Grumman a développé un circuit d’amplification état solide fonctionnant à la fréquence inédite de 1THz. Un record officialisé par le Livre Guinness des records (photo).

Ce circuit intégré monolithique TMIC (Terahertz Monolithic Integrated Circuit) fait appel à dix étages à transistors et présente un gain de 10dB à 1THz et de 9dB à 1,03THz. Des transistors Hemt (High-Electron Mobility Transistor, transistor à haute mobilité électronique) de longueur de grille 25nm réalisés en phosphure d’indium (InP) ont permis d’obtenir un tel résultat.

Northrop Grumman estime qu’une telle prouesse technologique ouvre de belles perspectives dans de nombreux domaines : les systèmes d’imagerie haute résolution pour la sécurité, les réseaux de communication, les radars anti-collisions et les spectromètres qui seront alors à même de détecter avec une sensibilité accrue la présence de produits chimiques potentiellement dangereux ou d’explosifs.