Entre 1,2 et 1,4GHz, ce transistor offre un niveau de puissance inédit en mode pulsé, du moins pour un modèle “single-ended”.

Pour les applications en bande L exploitant des radars fonctionnant en mode pulsé, Macom (M/A-Com Technology Solutions) introduit un transistor développant une puissance crête de 650W (50V, impulsions de 300µs, rapport cyclique de 10%).

Réalisé selon une technologie Hemt GaN sur carbure de silicium, le MAGX-001214-650L00 est un modèle “single-ended”, adapté en interne, dont le gain est compris entre 18,8 et 19,7dB dans la bande 1,2 à 1,4GHz. Le rendement est quant à lui situé aux alentours de 60%. Enfin, le MTTF (Mean Time to Failure) est donné pour 5,3 millions d’heures (soit 600 ans environ !).