Les derniers transistors en GaN du canadien sont des modèles de 100 V ou 650 V, entre autres destinés aux alimentations à découpage, aux convertisseurs DC-DC, aux onduleurs et à la commande de moteurs AC.

Le canadien GaN Systems a profité de la manifestation PCIM, qui s’est tenue à Nuremberg la semaine passée, pour annoncer deux séries de transistors de puissance à enrichissement, normalement bloqués, exploitant une technologie nitrure de gallium sur silicium.

D’un côté, il est question de transistors discrets de 100V (les GS61002/4/6/8P) couvrant la gamme 20 à 80A. Ceux-ci affichent une résistance à l’état passant comprise entre 5 et 21 mOhms. A ces éléments s’ajoute un circuit en structure demi-pont (GS71008P).

De l’autre, les GS66502/4/6/8P sont des modèles de 650V, pour des calibres en courant de 8,5 à 34A (résistance statique entre 165 et 41 mOhms), optimisés pour les applications à haute vitesse de commutation. Le GS43106L de 30A est quant à lui proposé dans une configuration cascode.

Tous ces produits bénéficient du boîtier GaNPX, pratiquement de la taille de la puce, pour lequel l’élimination des fils de connexion a pour effet de minimiser l’inductance parasite.