Ces transistors Mos doubles, en version canal n ou canal p, regroupent dans le même boîtier à billes de 0,8 mm d’épaisseur maximum deux transistors dans une association à drain commun. Résistance série à l’état passant : 14 mO et 28 mO Tenue en tension : 20 V Dimensions : 4 x 2,5 mm Références : FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P et FDZ2554P Fabricant : Fairchild Semiconductor Rens. : www.fairchildsemi.com