IBM vient d’annoncer une structure de circuit innovante qui devrait permettre d’augmenter d’un facteur 4 les performances des dispositifs sans fil tout en réduisant leur consommation d’un facteur 5, comparé au transistor bipolaire film mince à l’état de l’art. Il s’agit en fait du premier transistor bipolaire SiGe sur substrat SOI avec faible épaisseur de…