FDJ129P Fairchild Semiconductor Ce transistor Mos de puissance canal p est encapsulé dans un boîtier miniature sans broche au format SC75. Tenue en courant : 4,2 A en continu, 16 A Crête Résistance à l’état passant : 70 mO avec une tension de commande de 4,5 V Charge de grille : 6 nC sous 12 V Epaisseur : 0,8 mm Rens. :www.fairchildsemi.com