TS8314 Taiwan Semiconductor Destiné à la protection de packs d’accumulateurs, ce double transistor Mos canal n miniature est encapsulé dans un boîtier puce à billes. Résistance à l’état passant : 15 m avec une tension de commande de 4,5 V Tenue en tension : 20 V Protection contre les surtensions jusqu’à 4 000 V en décharges électrostatiques Dimensions : 3,36 mm2 et 0,8 mm d’épaisseur…