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Bientôt des transistors bipolaires en carbure de silicium ?
Un procédé inédit de croissance du carbure de silicium permettrait de réduire de deux à trois ordres de grandeur sa densité de défauts. D’où la possibilité de réaliser de nouveaux types de composants. Les résultats d’une récente étude des laboratoires de recherche de Toyota et de Denso sur la croissance du carbure de silicium devraient…
