Numonyx décuple l’endurance de ses mémoires à changement de phase

Le 23/04/2010 à 11:36 par Frédéric Rémond

Jusqu’à un million de cycles d’écriture pour les mémoires PCM série et parallèle 128 Mbits du fabricant. Numonyx lance deux gammes de mémoires à changement de phase combinant les avantages des technologies flash Nor et Eeprom avec des temps de programmation plus rapides, la possibilité de modifier les données au niveau octet et une meilleure endurance. Fabriquées en technologie Cmos 90 nm, les Omneo P5Q PCM embarquent une interface série compatible SPI, tandis que les Omneo P8P PCM intègrent une interface parallèle. Ces modèles supportent jusqu’à un million de cycles d’écriture, dix fois plus que les précédentes mémoires à changement de phase 128 Mbits lancées par le fabricant en décembre 2008. Ces mémoires sont d’ores et déjà disponibles en volume.

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