Transistor HEMT GaN large bande

Le 12/04/2010 à 15:27 par La Rédaction

Série RF3931 de RF Micro Devices Ce transistor RF de puissance, non adapté, offre une large bande passante, une courbe de gain plate et un rendement élevé.

  • Bande de fréquence : DC à 3 GHz
  • Tension de drain : 28 V à 48 V
  • Puissance de sortie : 30 W à P3dB
  • Rendement en puissance ajoutée : 65 %
  • Gain : 15 dB à 2 GHz

Rens. www.rfmd.com

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