ESD9X3.3S, ESD9X5.0S et ESD9X12S d’On Semiconductor Ces diodes de protection contre les décharges électrostatiques sont encapsulées dans un boîtier 38 % plus petit que le précédent modèle de la société. Tenue en tension : 3,3 V à 12 V Temps de réponse inférieur à 1 ns Niveau de protection IEC61000-4-2 niveau 4 Dimensions : 1 x 0,6 x 0,43 mm Rens. : www.onsemi.com