Arm, fournisseur de cœurs de processeurs sous forme d’IP physique, et le fondeur Globalfoundries ont montré lors du Mobile World Congress quelles seront les grandes caractéristiques techniques d’une future plateforme de SoC en technologie 28 nm pour les systèmes sans fil de demain. Arm et le fondeur Globalfoundries ont annoncé que la future plateforme de SoC en technologie 28 nm, basée sur le coeur Cortex A9 d’Arm et destinée aux fabricants de smartphones, de smartbooks, de tablettes intelligentes…, devrait offrir un gain en performance de calcul de 40%, une réduction de la consommation de 30% et une augmentation de la durée de l’autonomie de la batterie de 100% par rapport aux technologies en 40/45 nm. Cette nouvelle plateforme utilisera le procédé dit High-K Metal Gate (HKMG)en 28 nm de Globalfoundries mis en œuvre au sein de la technique Gate First du fondeur déjà adoptée par de nombreux IDM (Integrated Device Manufacturer) et qui vise à mettre rapidement en production des grandes séries avec un rendement mature.
Selon Tudor Brown, le président d’Arm, “cette transition vers le 28 nm va être un point d’inflexion très important pour la technologie sans fil”. Quant à Globalfoundries, la société prévoit de démarrer la production dans son unité Fab 1 de Dresde au second semestre de cette année.