Couverture ElectroniqueS n°127

Le salon RF et Hyper a été le cadre d'un certain nombre d'annonces dans le domaine des semiconducteurs, s'adressant chacune à des problèmes ou des marchés différents. Faible bruit, miniaturisation, augmentation de puissance, les avancées partent un peu dans tous les sens. Villepinte. Tenu fin septembre début octobre dans le nord de la région parisienne, le salon RF et Hyper a été le cadre, comme chaque année, de la présentation de produits rivalisant d'innovation. Les plus spectaculaires en termes de miniaturisation de semiconducteurs sont sans doute les dernières générations de transistors radiofréquences de l'américain Avago Technologies. Le fabricant a dévoilé avant l'été la technologie d'encapsulation sur tranche baptisée Wafercap, qui lui permet de réaliser des boîtiers compatibles 100 GHz ; il a annoncé à Villepinte, sur le stand du distributeur BFI Optilas, ses premiers modèles de transistors tirant parti de ces évolutions. Au format d'un pavé 0402, la société propose ainsi des LNA large bande jusqu'à 26 GHz ou 18 GHz. Elle va finaliser également des modèles avec dérivation et aux entrées/ sorties pré-adaptées à 50 pour des bandes de fréquences allant de 0,5 GHz à 6 GHz (VMMK2103) et de 1 à 10 GHz (VMMK2203). Le modèle VMMK2303 offre, lui, un fonctionnement similaire, mais avec une tension d'alimentation plus faible, entre 1,8 V et 3,3 V. Chez le japonais Toshiba, l'accent est toujours mis sur la forte puissance et les nouveaux matériaux semiconducteurs. L'an dernier, la société du pays du Soleil Levant avait présenté un transistor en nitrure de gallium pour les radars en bande X capable de gérer une puissance 50 W. Cette année, elle propose toujours la même puissance de 50 W mais sur la bande de fréquence Ku (de 14 GHz à 14,5 GHz) pour des applications VSAT. Le GaN toujours présentPour sa part, le français Ommic a présenté sur son stand sa dernière génération de transistors à niveau de bruit record en arséniure de gallium avec sa technologie Phemt en 0,13 µm. Il atteint avec le CGY2105XHV un niveau de bruit mesuré au boîtier du transistor de 0,28 dB pour un gain de 19,3 dB à une fréquence de 1,9 GHz. Mesuré à la jonction avec les composants externes nécessaires à une configuration symétrique, le niveau de bruit reste très sage à seulement 0,42 dB (connecteurs compris) et toujours un gain de 19,3 dB à la même fréquence. De quoi améliorer la sensibilité des stations de base de dernière génération, d'autant que son niveau d'intermodulation du troisième ordre en sortie est de 34,7 dB à cette fréquence. Ce composant héberge deux amplificateurs faible bruit dans le même boîtier plastique QFN avec un excellent appariement des caractéristiques à -25 dB. Chez Aeroflex, hébergé par Tech Inter, la nouveauté du salon consiste en une diode de puissance. Cette diode supporte la commutation de signaux de 0,1 GHz à 3 GHz d'une puissance de 40 W dans un boîtier plastique économique. Ces performances sont, aux dires du distributeur, tout à fait exceptionnelles et sans équivalent actuel sur le marché pour une diode varactor GaAs. Pour Nitronex, précurseur des transistors en nitrure de gallium hébergé sur le stand de Lteq Microwave, l'heure était également à la montée en puissance, mais dans une application où l'on ne l'attendait pas forcément. Son dernier transistor est ainsi spécifié pour une puissance de 200 W, mais vise les transmissions UHF/VHF. La société propose également un transistor GaN d'une puissance de 4 W pour les applications et a tenu une conférence sur ce sujet. Un salon studieux aux multiples projetsAux dires des exposants du domaine des composants qui ont fait le déplacement à Villepinte sur le salon RF & Hyper, la manifestation a démarré dès le matin du premier jour avec des contacts instructifs sur des demandes pour de nouveaux projets. La plupart des exposants nous ont confié le jeudi avoir bien travaillé par rapport à l'an dernier et, pour certains, avoir un peu profité d'une synergie avec les autres salons. De prime abord, les nouveautés techniques n'ont pas envahi RF & Hyper et il était rare de voir sur les stands un panneau annonçant une nouveauté fracassante. Mais les visiteurs qui ont eu le courage de fouiner parmi les stands ont pu y repérer quelques avant-premières mondiales intéressantes, en termes de performances pures et de miniaturisation, ou tout simplement découvrir de visu des produits introduits avant l'été aux Etats-Unis et qui n'avaient pas encore été présentés en France. Peu de cohérence dans ces découvertes, quelques composants temps-fréquence très petits, à niveau de bruit très faible ou très stable sans consommer, des transistors spécifiques large bande ou miniatures, ou très forte puissance, une diode forte puissance, plusieurs modules Zigbee, un peu de GaN, quelques composants passifs… Le plus impressionnant reste sans doute l'intégration passive sur silicium réalisée avec la technologie de Philips Caen, passé NXP, pour Atlantic RF, qui réduit de manière impressionnante la taille et le coût de la fonction.

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