Couverture ElectroniqueS n°127

Alors qu'Elpida Memory introduit ce qu'il considère comme la Dram 1 Gbit la plus rapide du marché, Samsung s'apprête à présenter des modèles DDR3 de 4 Gbits et 8 Gbits et Hynix une mémoire DDR2 de 1 Gbit dédiée aux mobiles. Malgré les difficultés économiques et financières, les innovations continuent, notamment dans le secteur des mémoires Ram dynamiques. C'est ainsi qu'Elpida Memory - pourtant fortement mis à mal par la situation sur le marché des Dram à l'instar de la plupart de ses collègues du secteur - introduit ce qu'il considère comme la Dram 1 Gbit la plus rapide de l'industrie. Dotée d'une interface XDR à 7,2 GHz, cette mémoire organisée en mots de 32 bits affiche en effet un débit de transfert des données de 28,8 Go/s. Fonctionnant sous 1,5 V, elle permettrait de réduire de 30 à 40 % la consommation comparée à une solution mettant en parallèle deux mémoires 512 Mbits organisées en mots de 16 bits. Le même Elpida, tout comme Hynix Semiconductor, lance une DDR SDram 2 Gbits spécialement conçue pour les dispositifs mobiles (MID et ultraportables). Les mémoires des deux sociétés sont réalisées dans une version à dimensions réduites de la génération technologique 65 nm (50 nm pour Elpida, 54 nm pour Hynix). Elles fonctionnent à 200 MHz et peuvent transférer les données à un débit brut de 400 Mbit/s, soit 1,6 Go/s avec des E/ S sur 32 bits. La mémoire de Hynix est conçue pour fonctionner sous une tension de 1,2 V, tandis que celle du Japonais fonctionne normalement sous 1,8 V avec une option à 1,2 V. Cette dernière est par ailleurs optimisée pour les techniques d'empilement de boîtiers (PoP). Toujours pour les applications mobiles, le Coréen a par ailleurs développé une DDR2 SDram 1 Gbit caractérisée par un débit de transfert des données de 4,3 Go/s, mais ne consommant que 112 mW en fonctionnement. Cette mémoire sera décrite en détail lors de la conférence internationale sur les circuits intégrés ISSCC qui se tiendra à San Francisco du 9 au 11 février.Première mémoire Fram 128 MbitsTémoin de la vivacité de l'innovation dans le monde des circuits intégrés, ISSCC sera aussi l'occasion pour le numéro un mondial des mémoires, le coréen Samsung Electronics, de présenter ce qu'il considère comme la première DDR3 SDram 4 Gbits jamais réalisée dans le monde. En technologie 56 nm, encore une variante de la génération 65 nm, cette mémoire fonctionne sous une tension de 1,2 V, contre 1,5 V pour les DDR3 SDram actuellement disponibles sur le marché, et est caractérisée par un débit brut de 1,6 Gbit/s par broche. Le Coréen va encore plus loin dans l'augmentation de la capacité de stockage avec une mémoire de 8 Gbits dans un boîtier. Cette mémoire est constituée de l'empilement de quatre puces de 2 Gbits (rien de bien original jusque-là), mais celles-ci sont interconnectées directement sur tranches via des trous métallisés dans le silicium (TSV ou Through-silicon via). Une telle technique permet, selon Samsung, de réduire de 50 % la consommation au repos et de 25 % en fonctionnement. Qimonda devrait, lui, profiter de la conférence pour dévoiler une mémoire graphique GDDR5 qui se voulait, au moment de la soumission du papier, la plus rapide de l'industrie avec ses 7 Gbit/s par broche (elle a depuis été dépassée par la mémoire XDR précédemment décrite). De son côté, Hitachi a mis au point tout un ensemble de techniques ouvrant la voie à des mémoires Ram dynamiques fonctionnant sous une tension inférieure à 1 V. Le Japonais a ainsi développé une Dram 128 Mbits en technologie Cmos 70 nm caractérisée par un temps d'accès en lecture de moins de 15 ns sous une tension d'alimentation de 0,9 V. Les ingénieurs d'Intel dévoileront, eux, une Sram 291 Mbits en technologie 32 nm atteignant une fréquence de 4 GHz sous 1 V.Toujours dans le secteur des mémoires Ram, mais non-volatiles cette fois, Toshiba présentera à San Francisco, la première mémoire Ram ferroélectrique 128 Mbits jamais réalisée dans le monde. Cette mémoire, en technologie Cmos 0,13 µm, est ainsi 32 fois plus complexe que les Fram les plus complexes disponibles aujourd'hui sur le marché. Elle est par ailleurs dotée d'une interface DDR2 caractérisée par un débit de données à 1,6 Go/s.Du nouveau aussi du côté des mémoires flashLes Dram ne sont pas les seules à évoluer. Leurs compagnes dans la douleur, les flash NAND, sont elles aussi sous les feux de la rampe. C'est ainsi que Micron Technology introduit toute une gamme de modèles à accès série dédiés aux applications embarquées. Ces mémoires, compatibles avec le standard SPI, sont caractérisées par une vitesse d'écriture de 2,4 Mo/s, contre 0,5 Mo/s pour une flash NOR série à capacité équivalente. Le premier modèle de 1 Gbit est actuellement échantillonné ; la production de volume est prévue pour le premier trimestre 2009. Des flash NAND 32 Gbits à 3 bits/cellule devraient par ailleurs être présentées à la conférence ISSC2009 par Hynix, ainsi que par Toshiba en association avec SanDisk. Le couple nippo-américain prévoit également de décrire un modèle 64 Gbits à 4 bits/cellule, caractérisé par une vitesse de programmation de 5,6 Mo/s. Intel a, pour sa part, développé une flash NAND 32 Gbits à architecture MLC, caractérisée par une vitesse d'écriture de 9 Mo/s.

28,8 Go/s pour la Dram 1 Gbit la plus rapide du marché

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