Cette mémoire de Samsung permet de lire les données trois fois plus vite que les NAND classiques.
Samsung Electronics vient d’annoncer la production de volume de ce qu’il considère comme la première mémoire flash NAND MLC 32Gbits de l’industrie dotée d’une interface DDR asynchrone. Cette mémoire est fabriquée en technologie 30nm.
Comparée à une NAND classique, la mémoire NAND DDR permet de lire les données 3 fois plus vite. Elle est en effet caractérisée par un débit de transfert des données de 133Mbit/s contre 40Mbit/s pour les flash NAND MLC SDR. Elle augmentera donc significativement la performance de lecture des appareils mobiles nécessitant des vitesses élevées et un grand espace de stockage.
« Avec la NAND MLC DDR, un taux de transfert double est possible sans augmenter la consommation d’énergie, soit une plus grande latitude pour les concepteurs lorsqu’ils introduisent divers appareils grand public », a déclaré Soo-In Cho, vice-président exécutif et directeur général de la division Mémoires de Samsung Electronics.
Selon la société d’étude de marché, Gartner Dataquest, le marché mondial des mémoires flash NAND s’élèverait à 13,8 milliards de dollars en 2009 et atteindrait 23,6 milliards de dollars en 2012.
