Spécialement conçus pour les panneaux photovoltaïques, les deux derniers transistors IGBT 650V 40A de Magnachip Semiconductor intègrent des couches d'isolation en polyimide afin d'améliorer leur tenue sous des conditions extrêmes de tension, de température et d'humidité.

Le MBQ40T65S6FHTH est optimisé pour de faibles pertes en conduction. Par rapport à la précédente génération du Sud-Coréen, cet IGBT améliore d'environ 15% le rendement d'un redresseur solaire de 15kW. Le MBQ40T65S6FSTH apporte, lui, une diminution de 15% des pertes en commutation et de 8% en conduction, boostant d'environ 11% le rendement d'un redresseur solaire de 3kW.

« Durant le second semestre, nous allons lancer une large palette de transistors IGBT 650V de sixième génération supportant des courants allant de 5 à 75A », prévoit YJ Kim, le CEO de Magnachip.