Alors que les mémoires flash peinent à descendre dans les géométries de gravure les plus fines, NXP Semiconductors a dévoilé, dans le cadre du salon Embedded World de Nuremberg, les premier microcontrôleurs automobiles embarquant une mémoire magnétique Mram et produits en process FinFET 16nm par TSMC. Les S32K5 s'inscrivent dans la plateforme CoreRide du Néerlandais, et visent principalement les architectures zonales dans l'automobile.
Les S32K5 combinent des cœurs Cortex tournant jusqu'à 800MHz, des accélérateurs dédiés à différentes tâches (calcul DSP, sécurisation des données, échanges réseaux), un commutateur Ethernet et un moteur eIQ pour le traitement neuronal. La mémoire Mram serait, d'après NXP, quinze fois plus rapide en écriture qu'une flash traditionnelle. Les S32K5 seront échantillonnés à partir du troisième trimestre.
