Renesas Electronics inaugure un nouveau process de fabrication de transistors Mosfet dénommé REXFET-1, qui d’après le Japonais réduit la résistance à l’état passant de ces composants de 30%. Ce process est mis en œuvre dans les nouveaux RBA300N10EANS et RBA300N10EHPF, des Mosfet 100V destinés aux véhicules électriques, à l’outillage, aux centres de données ou encore aux alimentations. Ces transistors sont proposés dans des boîtiers TOLL et TOLG, deux fois plus compacts que les classiques TO-263. Ils bénéficient également d’une réduction des charges de grille Qg er Qgd permise par le process REXFET-1. Ces circuits sont d’ores et déjà disponibles en volume.