512 Mbits de flash Nor dans l’espace

Le 27/11/2024 à 8:50 par Frédéric Rémond

Financée en partie par le laboratoire de recherche de l’US Air Force et codéveloppée avec Micro-RDC, la mémoire flash Nor 512Mbits durcie à interface QSPI que vient de présenter Infineon Technologies serait, d’après l’Allemand, la première à être radiation-hardened-by-design. Elle est basée sur la technologie Sonos d’Infineon, et son interface cadencée jusqu’à 133MHz l’aide à alimenter en données les processeurs et FPGA externes. La puce est encapsulée dans un boîtier céramique QML-V occupant 1×1 pouce, mais est également disponible en boîtier plastique conforme QML-P de 0,5×0,8 pouce. Elle supporte une dose d’ionisation totale (TID) de 300Krad et un verrouillage à événement singulier (SEL) de 80MeV.cm²/mg.

Copy link
Powered by Social Snap