Le Français Diamfab, deeptech du diamant semi-conducteur, a annoncé son partenariat avec HiQuTe Diamond. Dans ce cadre, HiQuTe apportera son expertise dans la production de substrats en diamant de haute qualité en vue de maximiser les performances des dispositifs de puissance. Diamfab s’occupera à la fois de la croissance épitaxiale de couches dopées grâce à des procédés avancés de croissance cristalline, et de la fabrication de composants haute performance. Ce partenariat est le premier à couvrir les trois étapes clés que sont le substrat, l’épitaxie et la fabrication avec un tel niveau de qualité.

« Les semi-conducteurs de puissance sont au cœur de la croissance des économies mondiales, avance Gauthier Chicot, P.-D.G. de Diamfab. Avec des performances entre 10 et 40 fois supérieures aux composants basés sur les matériaux classiques, le diamant semi-conducteur est clé dans l’électrification massive et a fortiori la décarbonation de pans entiers de l’économie. En travaillant avec HiQuTe Diamond, nous avons la volonté et les moyens technologiques, humains et géographiques de créer cette filière d’excellence en France. »

La première étape de cette collaboration est la fabrication d’une série de diodes Schottky verticales sur substrat HiQuTe Diamond avec une épitaxie diamant optimisée par Diamfab. Les premiers prototypes sont attendus pour le printemps 2025.